特性
亚微米级分辨率
两种位移选项：
有效自由长度16 mm，位移±135 µm
有效自由长度28 mm，位移±450 µm
驱动电压范围：0到150 V
非常适合OEM应用
提供带或不带预装PEEK基板的版本
Thorlabs的压电双晶片的自由端可以弯曲产生位移，位移的幅度和方向与施加的偏压具有函数关系。它们可在引线接合、电开关、光束偏移、阀门和加速度传感器等应用中使用。这些压电双晶片具有16 mm或28 mm有效自由长度，可分别提供最大位移±135 μm和±450 μm。

压电双晶片带有三条预装的引线，可选没有基板或预装到刚性PEEK(聚醚醚酮)基板的版本。有关此驱动器的安装建议，请查看工作标签。预装PEEK基板带有两个中心间距为12.5 mm的Ø4.3 mm通孔，可以安装8-32、M3或M4螺丝。此基板不可拆卸。

单侧电压控制
Bimorph Bender
Click to Enlarge差分电压控制
Bimorph Bender
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这些驱动器可以使用单侧或差分电压控制模式来进行控制。上图展现了两种情况的示例，更多选项描述，请看工作标签。
压电工作
这些压电双晶片由多层共烧压电陶瓷层构成，陶瓷层上半部分的偏压控制不受陶瓷层下半部分偏压的影响。施加在陶瓷层上的电压升高，陶瓷层的长度也会随之变长。当上下陶瓷层的延长量不同时，双晶片的自由端就会产生位移。例如，上层延长而下层不变时，双晶片就会产生向下的位移。

Piezo Tutorial
可以使用电压限制在150 V以内的任何电压驱动器来驱动这些压电双晶片驱动器。上表面的电气连接端可以连接三个电极，每个电极连接一条引线；连接到红色引线的电极应该施加正偏压，带有银色加号标记。只给上层或下层提供一个偏压，双晶片会在单侧电压控制模式下工作，从而将双晶片的位移限制在一个方向。而给上下层提供不同的偏压时，双晶片的位移可以朝上或朝下。下图为两种情况的示例。请不要在两根引线之间施加超过150 V的偏压，因为这样会损坏双晶片。有关不同电压控制模式的详情，请看工作标签。

注意： 裸压电驱动器兼容>10-7Torr的真空环境。但建议不要在真空环境中使用预装到PEEK基板的版本。

可提供定制尺寸和电压范围的压电双晶片。此外，我们提供大批量订单。更多信息请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com。

Piezo Manufacturing
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将整块PZT切割成单个小块 
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经过排胶和烧结之后的芯片
Thorlabs的压电陶瓷产品制造
我们的压电陶瓷芯片在中国分公司的生产车间制造而成。生产过程中的每一个环节都由我们完全掌控，从而能高效生产出优质的产品，包括定制和OEM设备。以下是对压电陶瓷芯片制造过程的简单介绍。关于制造过程和能力的更多信息，请查看我们的压电陶瓷制造能力页面。

将锆钛酸铅(PZT)或钪酸铋-钛酸铅(BSPT)粉末做成的柔性片材堆结成块
通过丝网印刷将电极印刷到每一片上
将经过印刷的片材层层堆叠
利用等静压将堆叠的片材压制成块
将整块PZT切成单独的小块
对这些小块进行热处理，消除残留的溶剂和粘合材料
烧结小块，熔合这些压电材料，形成并生长PZT或BSPT晶体
进行研磨，使每片芯片的尺寸公差严格控制在±5 µm
丝网印刷芯片外电极
通过高压极化使每个PZT或BSPT晶体沿同轴方向对准

压电双晶片，150 V
压电双晶片，150 V
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Item #a Info Displacement Free Lengthb Dimensions Resonant Frequency
(No Load) Blocking
Force Pre-Attached
Holder
PB4VB2W info ±135 µm ± 15% 16 mm 20.0 mm x 8.0 mm x 0.8 mmc 930 Hz 1.4 N
(0.31 lbs) No
PB4VB2S info 27.0 mm x 19.0 mm x 3.0 mmc,d Yes
PB4NB2W info ±450 µm ± 15% 28 mm 32.0 mm x 7.8 mm x 0.8 mmc 370 Hz 1.5 N
(0.33 lbs) No
PB4NB2S info 39.0 mm x 19.0 mm x 3.0 mmc,d Yes
完整规格请查看上方信息图标()。
指的是从压电材料的无电极边缘直到标记银色加号之间的区域。
不包含导线
包含带有Ø4.3 mm安装通孔的支架
+1 数量 文档 产品型号 - 公英制通用 单价 现货 / 发货日
 
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